Некоторые из наших читателей наверняка помнят первые микросхемы перезаписываемой памяти, информация в которых стиралась ультрафиолетовым светом, освещающим чип через специальное окошко в корпусе. Нечто подобное, только на гораздо более современном уровне, удалось сделать исследователям из Фуданьского университета и Института микроэлектроники китайской Академии наук. Созданный ими новый тип памяти не только обладает превосходными электрическими и динамическими характеристиками, информация, хранимая в этой памяти, может быть стерта при помощи коротких импульсов света. Все это делает новую память идеальным кандидатом на использование в так называемых системах-на-матрице, в которых все тонкие и прозрачные компоненты электронного устройства объединяются на поверхности матрицы дисплея.
Для создания ячеек памяти нового типа исследователи использовали молибденит (дисульфид молибдена, MoS2), полупроводниковый материала из семейства переходных дихалькогенидов. Некоторые из свойств молибденита, сформированного в виде листов, толщиной в несколько атомов, позволяют управлять его проводимостью и обеспечивают высокое значение отношения его проводимости во "включенном" и "выключенном" состоянии.
Память, ячейки которой изготовлены из молибденита, обладают достаточно высоким быстродействием и сохраняют свою работоспособность даже при температуре около 85 градусов Цельсия. Помимо этого, такая память обладает высокой надежностью и длительным сроком службы, предварительные расчеты показали, что после 10 лет эксплуатации время хранения информации в таких ячейках составит 60 процентов от изначального значения.
Молибденит является также светочувствительным материалом, его некоторыми свойствами можно управлять при помощи света. Зная об этом, китайские ученые провели исследования того, как свет воздействует на новые ячейки памяти и обнаружили, что даже кратковременное воздействие приводит к полному стиранию информации, записанной в ячейку. Однако, в дополнение к этому, никто не мешает использовать и обычный метод электрического стирания информации, ведь запись информации в такую ячейку производится исключительно электрическим способом.
В своей дальнейшей работе китайские исследователи планируют разработать технологию изготовления высокоинтегрированных модулей памяти со стиранием импульсами света с определенной длиной волны и определенной длительностью. После этого ученые планируют интегрировать все это в одну единую систему-на-матрице, в которой будут использованы поликремниевые структуры, тонкопленочные транзисторы и другие компоненты, изготовленные из окиси цинка-галлия-индия (IGZO) и оксида олова-цинка (ZTO). А, в конечном счете, все это может привести к разработке технологий, используемых в производстве сверхтонких телефонов, компьютеров и других электронных устройств.
Подробнее: https://phys.org/news/2017-12-light-erasable-memory-system-on-panel.html |
