Группа исследователей из университета Тохоку, Япония, завершила создание первого в своем роде 128 Мб чипа памяти STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory), время записи информации которого не превышает 14 наносекунд. Это время является рекордно быстрым временем записи для различных типов встраиваемой памяти с плотность более чем 100 Мб, а сама такая память, благодаря ее определенным характеристикам, может быть использована в качестве кэш-памяти, памяти для устройств Интернета вещей и искусственного интеллекта.

Память STT-MRAM отличается высокой скоростью работы и потребляет небольшое количество энергии, помимо этого, она является энергонезависимой, сохраняя записанные в нее данные при отключении питания. Из-за этих особенностей такая память рассматривает ... Читать дальше »