Современная жизнь была попросту невозможна без транзисторов, крошечных "стандартных блоков", миллиарды которых находятся на кристаллах чипов, являющихся "мозгом" всех наших электронных устройств. Однако, нынешние технологии, при помощи которых производятся полевые транзисторы (Field-Electronic Transistor, FET), имеющие объемную структуру, практически подошли к пределу их эффективности. На смену традиционной технологии должно прийти нечто новое, и к такому новому можно смело отнести новые условно "двухмерные" полевые транзисторы, созданные исследователями из института Фундаментальных наук (Institute for Basic Science, IBS). Но самым интересным в данном случае является то, что все элементы структуры нового транзистора, обладающие как металлическими, так и полупроводниковыми свойствами, изготовлены из одного материала.

... Читать дальше »